By visiting this site, you accept the use of cookies. More about our cookie policy.

GOST 11930.3-79

GOST R ISO 15353-2014 GOST P 55080-2012 GOST R ISO 16962-2012 GOST R ISO 10153-2011 GOST R ISO 10280-2010 GOST R ISO 4940-2010 GOST R ISO 4943-2010 GOST R ISO 14284-2009 GOST R ISO 9686-2009 GOST R ISO 13899-2-2009 GOST 18895-97 GOST 12361-2002 GOST 12359-99 GOST 12358-2002 GOST 12351-2003 GOST 12345-2001 GOST 12344-88 GOST 12350-78 GOST 12354-81 GOST 12346-78 GOST 12353-78 GOST 12348-78 GOST 12363-79 GOST 12360-82 GOST 17051-82 GOST 12349-83 GOST 12357-84 GOST 12365-84 GOST 12364-84 STATE STANDARD P 51576-2000 GOST 29117-91 GOST 12347-77 GOST 12355-78 GOST 12362-79 GOST 12352-81 GOST P 50424-92 STATE STANDARD P 51056-97 GOST P 51927-2002 GOST P 51928-2002 GOST 12356-81 GOST R ISO 13898-1-2006 GOST R ISO 13898-3-2007 GOST R ISO 13898-4-2007 GOST R ISO 13898-2-2006 STATE STANDARD P 52521-2006 GOST P 52519-2006 GOST R 52520-2006 GOST P 52518-2006 GOST 1429.14-2004 GOST 24903-81 GOST 22662-77 GOST 6012-2011 GOST 25283-93 GOST 18318-94 GOST 29006-91 GOST 16412.4-91 GOST 16412.7-91 GOST 25280-90 GOST 2171-90 GOST 23401-90 GOST 30642-99 GOST 25698-98 GOST 30550-98 GOST 18898-89 GOST 26849-86 GOST 26876-86 GOST 26239.5-84 GOST 26239.7-84 GOST 26239.3-84 GOST 25599.4-83 GOST 12226-80 GOST 23402-78 GOST 1429.9-77 GOST 1429.3-77 GOST 1429.5-77 GOST 19014.3-73 GOST 19014.1-73 GOST 17235-71 GOST 16412.5-91 GOST 29012-91 GOST 26528-98 GOST 18897-98 GOST 26529-85 GOST 26614-85 GOST 26239.2-84 GOST 26239.0-84 GOST 26239.8-84 GOST 25947-83 GOST 25599.3-83 GOST 22864-83 GOST 25599.1-83 GOST 25849-83 GOST 25281-82 GOST 22397-77 GOST 1429.11-77 GOST 1429.1-77 GOST 1429.13-77 GOST 1429.7-77 GOST 1429.0-77 GOST 20018-74 GOST 18317-94 STATE STANDARD P 52950-2008 GOST P 52951-2008 GOST 32597-2013 GOST P 56307-2014 GOST 33731-2016 GOST 3845-2017 STATE STANDARD P ISO 17640-2016 GOST 33368-2015 GOST 10692-2015 GOST P 55934-2013 GOST P 55435-2013 STATE STANDARD P 54907-2012 GOST 3845-75 GOST 11706-78 GOST 12501-67 GOST 8695-75 GOST 17410-78 GOST 19040-81 GOST 27450-87 GOST 28800-90 GOST 3728-78 GOST 30432-96 GOST 8694-75 GOST R ISO 10543-99 GOST R ISO 10124-99 GOST R ISO 10332-99 GOST 10692-80 GOST R ISO 17637-2014 GOST P 56143-2014 GOST R ISO 16918-1-2013 GOST R ISO 14250-2013 GOST P 55724-2013 GOST R ISO 22826-2012 GOST P 55143-2012 GOST P 55142-2012 GOST R ISO 17642-2-2012 GOST R ISO 17641-2-2012 GOST P 54566-2011 GOST 26877-2008 GOST R ISO 17641-1-2011 GOST R ISO 9016-2011 GOST R ISO 17642-1-2011 STATE STANDARD P 54790-2011 GOST P 54569-2011 GOST P 54570-2011 STATE STANDARD P 54153-2010 GOST R ISO 5178-2010 GOST R ISO 15792-2-2010 GOST R ISO 15792-3-2010 GOST P 53845-2010 GOST R ISO 4967-2009 GOST 6032-89 GOST 6032-2003 GOST 7566-94 GOST 27809-95 GOST 22974.9-96 GOST 22974.8-96 GOST 22974.7-96 GOST 22974.6-96 GOST 22974.5-96 GOST 22974.4-96 GOST 22974.3-96 GOST 22974.2-96 GOST 22974.1-96 GOST 22974.13-96 GOST 22974.12-96 GOST 22974.11-96 GOST 22974.10-96 GOST 22974.0-96 GOST 21639.9-93 GOST 21639.8-93 GOST 21639.7-93 GOST 21639.6-93 GOST 21639.5-93 GOST 21639.4-93 GOST 21639.3-93 GOST 21639.2-93 GOST 21639.0-93 GOST 12502-67 GOST 11878-66 GOST 1763-68 GOST 13585-68 GOST 16971-71 GOST 21639.10-76 GOST 2604.1-77 GOST 11930.7-79 GOST 23870-79 GOST 11930.12-79 GOST 24167-80 GOST 25536-82 GOST 22536.2-87 GOST 22536.11-87 GOST 22536.6-88 GOST 22536.10-88 GOST 17745-90 GOST 26877-91 GOST 8233-56 GOST 1778-70 GOST 10243-75 GOST 20487-75 GOST 12503-75 GOST 21548-76 GOST 21639.11-76 GOST 2604.8-77 GOST 23055-78 GOST 23046-78 GOST 11930.11-79 GOST 11930.1-79 GOST 11930.10-79 GOST 24715-81 GOST 5639-82 GOST 25225-82 GOST 2604.11-85 GOST 2604.4-87 GOST 22536.5-87 GOST 22536.7-88 GOST 6130-71 GOST 23240-78 GOST 3242-79 GOST 11930.3-79 GOST 11930.5-79 GOST 11930.9-79 GOST 11930.2-79 GOST 11930.0-79 GOST 23904-79 GOST 11930.6-79 GOST 7565-81 GOST 7122-81 GOST 2604.3-83 GOST 2604.5-84 GOST 26389-84 GOST 2604.7-84 GOST 28830-90 GOST 21639.1-90 GOST 5640-68 GOST 5657-69 GOST 20485-75 GOST 21549-76 GOST 21547-76 GOST 2604.6-77 GOST 22838-77 GOST 2604.10-77 GOST 11930.4-79 GOST 11930.8-79 GOST 2604.9-83 GOST 26388-84 GOST 14782-86 GOST 2604.2-86 GOST 21639.12-87 GOST 22536.8-87 GOST 22536.0-87 GOST 22536.3-88 GOST 22536.12-88 GOST 22536.9-88 GOST 22536.14-88 GOST 22536.4-88 GOST 22974.14-90 GOST 23338-91 GOST 2604.13-82 GOST 2604.14-82 GOST 22536.1-88 GOST 28277-89 GOST 16773-2003 GOST 7512-82 GOST 6996-66 GOST 12635-67 GOST 12637-67 GOST 12636-67 GOST 24648-90

GOST 11930.3−79 Materials surfacing. Method for determination of silicon (with Amendments No. 1, 2)


GOST 11930.3−79

Group B09


INTERSTATE STANDARD

MATERIALS SURFACING

Method for determination of silicon

Hard-facing materials. Method of silicon determination


ISS 25.160.20
AXTU 1709

Date of introduction 1980−07−01


The decision of the State Committee USSR on standards on March 21, 1979 N 982 date of introduction is established 01.07.80

Limitation of actions taken by Protocol No. 4−93 of the Interstate Council for standardization, Metrology and certification (ICS 4−94)

REPLACE GOST 11930−66 in part of sec. 4

EDITION (August 2011) with Amendments No. 1, 2 approved in December 1984, December 1989 (IUS 3−85, 3−90)


This standard specifies the gravimetric method for the determination of silicon (with a mass fraction of silicon of from 0.2 to 10%) in the surfacing materials.

The method is based on the ability of silicon as the result of acid hydrolysis to stand out in a precipitate slightly soluble silicic acid. The resulting precipitate was calcined and treated with hydrofluoric acid in the presence of a small amount of sulfuric acid. Under these conditions, the silicon forms a volatile compound of silicon fluoride.

(Changed edition, Rev. N 2).

1. GENERAL REQUIREMENTS


General requirements for method of analysis according to GOST 11930.0−79.

2. APPARATUS, REAGENTS AND SOLUTIONS


Types of analytical balance VLA-200 M ADV-200 or any other type provides a weighing accuracy of 0.0002 g. more

Platinum crucibles N 7 GOST 6563−75.

Crucibles of iron, Nickel or glassy carbon.

Sulfuric acid GOST 4204−77, diluted 1:4 and 1:99.

Hydrochloric acid by the GOST 3118−77, diluted 1:1.

Nitric acid GOST 4461−77.

Hydrofluoric acid according to GOST 10484−78.

Sodium carbonate according to GOST 83−79.

Preservatory sodium or potassium ironically according to GOST 7172−76.

Sodium peroxide.

(Changed edition, Rev. N 2).

3. ANALYSIS

3.1. For powders based on Nickel

A sample of alloy weighing 0.2 g were placed in a glass with a capacity of 200−300 cmГОСТ 11930.3-79 Материалы наплавочные. Метод определения кремния (с Изменениями N 1, 2)and is dissolved in 40 cmГОСТ 11930.3-79 Материалы наплавочные. Метод определения кремния (с Изменениями N 1, 2)of hydrochloric acid. After the dissolution of the main part of the sample poured 10 cmГОСТ 11930.3-79 Материалы наплавочные. Метод определения кремния (с Изменениями N 1, 2)of sulphuric acid and the solution is evaporated twice with water to 70−100 cmГОСТ 11930.3-79 Материалы наплавочные. Метод определения кремния (с Изменениями N 1, 2), heated to 70−80 °C and filtered on the filter medium density containing a small amount filtrowanie mass. The residue and the beaker was washed 5−8 times with warm sulphuric acid (60−70 °C), diluted 1:99, and three times with distilled water.

The filtrate and the washings saved.

Washed the filter cake was placed in a platinum crucible, dried, carefully incinerated and calcined at a temperature of 1000−1100 °C to constant weight. Suspended sediment is treated with hydrofluoric and sulphuric acids. To do this, poured into a platinum crucible with 2−3 drops of sulphuric acid, 3−5 cmГОСТ 11930.3-79 Материалы наплавочные. Метод определения кремния (с Изменениями N 1, 2)hydrofluoric acid, carefully evaporated to dryness, and then calcined at a temperature of 1000−1100 °C to constant weight.

At the same time through all stages of the analysis carried out control experience for contamination of reagents with silicon. If after the distillation of the silicon in the crucible residue remains, it domplast with carbonate of sodium at 900−950 °C or pyroterrorism sodium at 650−700 °C. the Melt is leached in the filtrate obtained after separation of silica, transferred to a volumetric flask with a capacity of 200 cmГОСТ 11930.3-79 Материалы наплавочные. Метод определения кремния (с Изменениями N 1, 2), is diluted to the mark with water and mix.

The solution was stored for determination of chromium, manganese, Nickel, iron and phosphorus.

(Changed edition, Rev. N 1, 2).

3.2. For rods for surfacing and powders of alloys for surfacing

A portion of the sample mass given in table.1, is placed in a beaker with a capacity of 200−300 cmГОСТ 11930.3-79 Материалы наплавочные. Метод определения кремния (с Изменениями N 1, 2)and is dissolved by heating in 50 cmГОСТ 11930.3-79 Материалы наплавочные. Метод определения кремния (с Изменениями N 1, 2)of sulphuric acid, diluted 1:4. After the dissolution of the main part of the sample poured 1 cmГОСТ 11930.3-79 Материалы наплавочные. Метод определения кремния (с Изменениями N 1, 2)of nitric acid and the solution is twice evaporated to weak fumes of sulphuric anhydride. The solution is diluted with distilled water and further analysis are as indicated in claim 3.1.

Note. For alloys containing tungsten, the precipitate was calcined at 750−800 °C.

Table 1

             
Mass fraction of silicon, % Linkage

HГОСТ 11930.3-79 Материалы наплавочные. Метод определения кремния (с Изменениями N 1, 2)SOГОСТ 11930.3-79 Материалы наплавочные. Метод определения кремния (с Изменениями N 1, 2)(1:4)

From 0,2 to 2 incl.
0,5 60
SV. 2 « 3 «
0,3 50
« 3 « 4,5 «
0,2 40
« 4,5 « 6 «
0,1 40
« 6 « 10 «
0,1 40



(Changed edition, Rev. N 2).

3.3. (Deleted, Rev. N 2).

4. PROCESSING OF THE RESULTS

4.1. Mass fraction of silicon (ГОСТ 11930.3-79 Материалы наплавочные. Метод определения кремния (с Изменениями N 1, 2)) in percent is calculated by the formula

ГОСТ 11930.3-79 Материалы наплавочные. Метод определения кремния (с Изменениями N 1, 2),


where ГОСТ 11930.3-79 Материалы наплавочные. Метод определения кремния (с Изменениями N 1, 2)is the mass of the crucible with the precipitate of silicon dioxide prior to processing hydrofluoric acid, g;

ГОСТ 11930.3-79 Материалы наплавочные. Метод определения кремния (с Изменениями N 1, 2) — weight of crucible with residue after treatment with hydrofluoric acid, g;

ГОСТ 11930.3-79 Материалы наплавочные. Метод определения кремния (с Изменениями N 1, 2) — the mass of the crucible with the precipitate obtained in control experiment, before treatment with hydrofluoric acid, g;

ГОСТ 11930.3-79 Материалы наплавочные. Метод определения кремния (с Изменениями N 1, 2) — the mass of the crucible with the precipitate obtained in control experiment, after treatment with hydrofluoric acid, g;

ГОСТ 11930.3-79 Материалы наплавочные. Метод определения кремния (с Изменениями N 1, 2) — dilution of the test solution, cmГОСТ 11930.3-79 Материалы наплавочные. Метод определения кремния (с Изменениями N 1, 2);

ГОСТ 11930.3-79 Материалы наплавочные. Метод определения кремния (с Изменениями N 1, 2) — aliquota part of the analyzed solution, cmГОСТ 11930.3-79 Материалы наплавочные. Метод определения кремния (с Изменениями N 1, 2);

ГОСТ 11930.3-79 Материалы наплавочные. Метод определения кремния (с Изменениями N 1, 2) — the mass of sample, g;

0,4672 — the ratio of silicon dioxide to silicon.

4.2. The difference between the largest and smallest results of the three parallel measurements, and the two results of the analysis at a confidence level ГОСТ 11930.3-79 Материалы наплавочные. Метод определения кремния (с Изменениями N 1, 2)of 0.95, should not exceed the values of permissible differences given in table.2.

Table 2

             
Mass fraction of silicon, % The allowable divergence of the three parallel definitions %
Permissible discrepancies in the results of the analysis %
From 0,20 to Of 1.00 incl.
0,05 0,10
SV. Of 1.00 « Of 2.00 «
0,10 0,15
« Of 2.00 « 4,50 «
0,15 0,20
« 4,50 « 10,00 «
0,20 0,30



(Changed edition, Rev. N 2).